Frecuencia de alimentación 2CL200KV / 500mA pila de silicio cilíndrica de alto voltaje HVDIODE original auténtico

Artículo No.: GD080
Descripción
Esta serie de productos son ampliamente utilizados en:
Equipo médico, desempolvamiento electrostático, revestimiento por pulverización, sellado térmico de alta frecuencia, secado de madera curvada, deshidratación y desalinización de aceite, detección de alta presión, inyección de plasma, acelerador de iones, soldadura por haz de electrones, microscopía electrónica, generador de ozono de iones negativos, purificación de aire, revestimiento al vacío , Limpieza ultrasónica, ignición de alta energía, inspección de máquinas de rayos X, imágenes médicas DR, microondas industrial, modulación de radar, transmisor inalámbrico de transmisión, equipos de corte y soldadura por láser y otras fuentes de alimentación de CC, fuentes de alimentación de pulsos y otros equipos electrónicos. ¡Comercialización de productos a nivel nacional y mundial!

Las principales características de esta serie de productos:
1.Baja corriente de fuga inversa, transitoria 10mS hacia adelante protección contra sobretensiones;
2, soportar el voltaje, con características de protección de ruptura de voltaje de avalancha;
3. Excelentes características de descarga continua;
4, características de respuesta rápida de alta frecuencia;
5. Alta resistencia al calor, el rango de temperatura de la unión PN es tan alto como 125 ~ ~ 175 ℃;
6. Tecnología de envasado de chips de pasivación de vidrio de alta temperatura opcional;
7, tecnología de protección del medio ambiente, en línea con las normas internacionales;
8. Implementar estrictamente el sistema de gestión de calidad internacional ISO9001 para controlar la calidad del producto;
9. La nueva tecnología de moldeo y envasado garantiza la resistencia a la humedad del producto y puede soportar el entorno hostil.
10. También puede diseñar y personalizar los productos exclusivos del cliente según sus necesidades.
 

Valor límite

Absoluto

Máxima

Calificaciones

  Nombre del parámetro
Artículo
Símbolo
Símbolo
Unidad
Unidad
Condiciones de prueba
Condiciones
Valor
Voltaje
Voltaje inverso de pico repetitivo
Voltaje hacia atrás pico repetitivo
Vrrm KV Ta = 25 ℃ Ir = 2μA 200
Tensión inversa de trabajo pico
Voltaje de trabajo pico hacia atrás
Vrwm KV Ta = 25 ℃ Ir = 2μA 200
Corriente media delantera
Corriente directa promedio
Si (AV) mA Media onda sinusoidal 50Hz, carga resistiva, Tbreak = 50 ℃
(50 Hz de onda sinusoidal media, carga de resistencia @ Tbreak = 50 ℃)
500
Tiempo de recuperación inversa
Tiempo de recuperación hacia atrás
Trr nS   -
Corriente de entrada directa (no repetitiva)
Corriente directa de sobretensión
Ifsm Un Duración de media onda sinusoidal 0.01S 50Hz
0.01S @ Media onda sinusoidal 50Hz
20
Temperatura ambiente de trabajo
Temperatura ambiente de funcionamiento
Ta   -40 ~ + 150
Temperatura de almacenamiento
Temperatura de almacenamiento
Tstg   -40 ~ + 120

Características electricas

Eléctrico

Caracteristicas

Tensión pico directa
Tensión pico directa
Vfm V   ≥235
Pico de corriente inversa
Corriente pico hacia atrás
Irrm1 μA @ Ta = 25 ℃ VRM = VRRM 2,0
Irrm2 μA @ Ta = 100 ℃ VRM = VRRM 20,0